半導體晶圓、基板

砷化鎵 – III-V

GaAs Wafers/Substrates

None, Doping Si, Cr, Fe, Zn

可客製特殊方向和尺寸、形狀及提供原子力學顯微鏡（AFM）檢測報告

銻化鎵 – III-V

GaSb

None, Doping Zn. Te

可客製特殊方向和尺寸、形狀及提供原子力學顯微鏡（AFM）檢測報告

鍺 – Germanium

Ge

製作半導體元件，紅外光學元件，及太陽能電池基板…等材料。

None, Doping Sb. Ga

可客製邊緣取向特定角度（傾斜角1°－45°）的晶片

磷化砷 – III-V

InAs

None, Doping Sn. Zn. S

製作波長 2～14μm的紅外發光元件、一種製作 Hall 元件的理想材料。

可客製特殊方向和尺寸、形狀及提供原子力學顯微鏡（AFM）檢測報告。

磷化銦 – III-V

InP

生產光通訊主動元件LD，發光二極體（LED）和感光版等的關鍵材料，光纖中的發射、傳遞、放大、接收等功能。適用於高頻元件，如HEMT、HBT。

None, Doping Sn. S. Te

可客製特殊方向和尺寸、形狀及提供原子力學顯微鏡（AFM）檢測報告。

矽 – Silicon

Si

None, Doping B, P

可客製特殊方向和尺寸、形狀。

碳化矽

SiC

高功率電子元件 Schottky diodes、MOSFET、JFET、BJT、PiN diodes、IGBT。
應用於GaN/SiC 藍光LED的基底材料（GaN/SiC）。

可客製特殊方向和尺寸、形狀。

其它

II-VI Semiconductors

ZnS

ZnSe

ZnTe

CdS

CdSe

CdTe

…等等

SiO₂/Si Substrate

Diameter: 2″~8″ inch

Thickness: 50Å～20um³

Pt/Tio2/Ti/ Coated SiO₂/Si Substrate

Pt   Layer : 150 nm 

Ti   Layer : 20 nm 

SiO₂ Layer: 300 nm

Si Wafer

Type/Dopant: P/B

Orientation:<100>+/-0.5degree

Size: dia4” x 0.5 mm

Surface: one side polished

Resistivity: Not Available

Au(epi)/Cr/ Coated SiO₂/Si Substrate

Resistivity: <0.005 ohm.cm
Substrate Size: 4″ diameter +/- 0.5 mm x 0.5 mm
Polishing: One side polished
Surface roughness: < 10 A RMS